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ON/安森美NVHL040N65S3F車規(guī)級(jí)MOS管參數(shù)：

型號(hào)：NVHL040N65S3F

連續(xù)漏極電流（ID）：65A

功耗（Ptot）：446W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：3V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：10uA

柵源漏電流（IGSS）：±100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：33.8mΩ

輸入電容（Ciss）：5875pF

輸出電容（Coss）：140pF

二極管正向電壓（VSD）：1.3V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：159ns

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NVHL040N65S3F是為最小化傳導(dǎo)損耗、提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和承受極端dv/dt速率而量身定制的。因此，NVHL040N65S3F非常適合各種小型化和高效率的電力系統(tǒng)。NVHL040N65S3F優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能可以去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

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NVHL040N65S3F特征：

700V@TJ=150°C

典型值RDS（on）=33.8mΩ

超低柵電荷（典型值Qg=153nC）

低有效輸出電容（典型值Coss（eff.）=1333 pF）

100%雪崩測(cè)試

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NVHL040N65S3F應(yīng)用：

汽車車載充電器HEV?EV

汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器HEV?EV

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強(qiáng)元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級(jí)MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。