? 摘要：氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管就是其中的兩種解決方案。?這些器件與長壽命硅功率LDMOS mosfet和超結(jié)mosfet競爭。?GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有顯著的差異。?本文對兩者進(jìn)行了比較，并提供了一些事實(shí)，以幫助您為下一個設(shè)計(jì)做出決策。 ?

?寬禁帶半導(dǎo)體：

? 化合物半導(dǎo)體被稱為寬帶隙(WBG)器件。?不去回顧晶格結(jié)構(gòu)、能級和其他讓人頭腦遲鈍的半導(dǎo)體物理學(xué)，我們就說WBG的定義是一個試圖描述電流(電子)如何在化合物半導(dǎo)體中流動的模型。 ?

? WBG化合物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率和更高的能帶能，轉(zhuǎn)化為優(yōu)于硅的特性。?由WBG化合物半導(dǎo)體制成的晶體管具有較高的擊穿電壓和較高的耐高溫性能。?這些器件在高電壓和高功率應(yīng)用方面優(yōu)于硅。??

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