在2021年，有越來越多的內(nèi)存廠商使用了合肥長鑫公司開發(fā)的DDR4內(nèi)存芯片，產(chǎn)能也在穩(wěn)步增長，據(jù)悉2021年已達6萬晶圓/月，消息稱今年的產(chǎn)能將翻倍，達到12萬晶圓/月的水平，同時還會有更先進的17nm工藝DDR5/LPDDR5等內(nèi)存芯片。

產(chǎn)能方面，長鑫在2020年、2021年分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月。

國產(chǎn)內(nèi)存今年的產(chǎn)能目標(biāo)在全球是什么水平？此前TrendForce預(yù)測，2021年底全球內(nèi)存產(chǎn)能將達到150萬晶圓/月，三星產(chǎn)能超過55.5萬晶圓/月，SK海力士是36萬片晶圓/月，美光也有35.5萬晶圓/月。

如果今年內(nèi)國產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)能如期建成，那么合肥長鑫能進入全球第四，不過與前三名的差距還很大。

除了產(chǎn)能擴增，國產(chǎn)內(nèi)存的技術(shù)水平也在追趕，目前長鑫量產(chǎn)的主要是第一代10nm級別工藝10G1，實際水平應(yīng)該是19nm，主要以DDR4、LPDDR4為主，2020年報道中提到研發(fā)17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存，這是10G3代工藝，未來還有10G5工藝，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。