編輯-Z

ASEMI的MOS管9N90參數(shù)：

型號：9N90

漏源電壓（VDSS）：900V

柵源電壓（VGSS）：±30V

連續(xù)漏極電流（ID）：9.0A

脈沖漏極電流（IDM）：36A

功耗（PD）：49W

漏源漏電流（IDSS）：10uA

柵極閾值電壓（VGS(TH)）：3V

靜態(tài)漏源導通電阻（RDS(ON)）：1.4Ω

輸出電容（COSS）：175pF

漏源二極管正向電壓（VSD）：1.4V

反向恢復(fù)時間（trr）：550nS

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9N90封裝尺寸：

封裝：TO-220AB

總長度：28.8mm

本體長度：15.87mm

引腳長度：12.93mm

寬度：10.16mm

高度：4.7mm

腳間距：2.54mm

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9N90特征：

超低柵極電荷（典型值為45 nC）

低反向傳輸電容（CRSS=典型值14 pF）

快速切換能力

雪崩能量指定

改進的dv/dt能力，高堅固性