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BSG0811ND 英飛凌 ifineon 芯脈芯城

2023-07-07 14:23 作者:深圳芯脈實業(yè)  | 我要投稿

品牌

英飛凌

封裝

TSDSON-8

批號

22+原廠代理

數(shù)量

25000

制造商

Infineon

產(chǎn)品種類

MOSFET

RoHS

安裝風格

SMD/SMT

封裝 / 箱體

TISON-8

通道數(shù)量

2 Channel

晶體管極性

N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓

25 V

Id-連續(xù)漏極電流

50 A

Rds On-漏源導通電阻

2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓

16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓

1.2 V

Qg-柵極電荷

8.4 nC, 29 nC

最小工作溫度

- 55 C

最大工作溫度

+ 150 C

Pd-功率耗散

6.25 W

配置

Dual

通道模式

Enhancement

高度

1.15 mm

長度

6 mm

系列

OptiMOS 5

晶體管類型

2 N-Channel

寬度

5 mm

正向跨導 - 最小值

46 S, 90 S

下降時間

1.4 ns, 2.6 ns

上升時間

4.7 ns, 4.3 ns

典型關(guān)閉延遲時間

4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延遲時間

4.3 ns, 5.6 ns

單位重量

230 mg

型號

BSG0811ND

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