集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍，并開始率先生產(chǎn)192層3D NAND閃存。

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兩名知情人士表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍，至10萬(wàn)片晶圓，約占全球總產(chǎn)量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉，三星電子目前每月約生產(chǎn)48萬(wàn)片晶圓，而美光的月產(chǎn)能約為18萬(wàn)片。

報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)除計(jì)劃增產(chǎn)外，也在加快技術(shù)開發(fā)進(jìn)程。

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知情人士表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片。不過，因先進(jìn)工藝的復(fù)雜性，需要時(shí)間確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，這一計(jì)劃有可能會(huì)被推遲到今年下半年。

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)于去年4月宣布完成128層3D NAND閃存芯片的開發(fā)工作，并于去年年底開始批量生產(chǎn)。而三星和美光等廠商目前仍致力于開發(fā)176層3D NAND閃存芯片，最先進(jìn)的量產(chǎn)產(chǎn)品僅128層。

其中一名消息人士表示，“對(duì)于增產(chǎn)的部分，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2020年第三季度以來(lái)一直忙于引入和安置必要的芯片設(shè)備，以及擴(kuò)大生產(chǎn)線。該公司目前生產(chǎn)64層和128層3D NAND閃存芯片，日后將逐步增加后者的比例?！?/p>

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一名消息人士還指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層芯片的良率目前在70%左右，仍有提高的空間。不過，半導(dǎo)體行業(yè)的另一位高管則表示，“這已經(jīng)是一個(gè)重大突破，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍需要大量的企業(yè)合作，同時(shí)等待全球頂級(jí)客戶接受并采用其NAND閃存產(chǎn)品。”

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據(jù)了解，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)內(nèi)客戶包括聯(lián)想和華為等。

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值得一提的是，日經(jīng)指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)撼動(dòng)了全球NAND閃存市場(chǎng)。當(dāng)英特爾在2020年將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士的時(shí)候，一些市場(chǎng)觀察人士認(rèn)為，此舉是這家美國(guó)芯片制造商為了避免可能來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的激烈競(jìng)爭(zhēng)所做出的決定。除此之外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還是中國(guó)建立自主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要推動(dòng)力。