化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體先進(jìn)制程中的關(guān)鍵技術(shù)，其主要工作原理是在一定壓力下及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對(duì)拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助納米磨料的機(jī)械研磨作用與各類化學(xué)試劑的化學(xué)作用之間的高度有機(jī)結(jié)合，使被拋光的晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根據(jù)不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點(diǎn)的要求，每一片晶圓在生產(chǎn)過程中都會(huì)經(jīng)歷幾道甚至幾十道的CMP拋光工藝步驟。與傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法不同，CMP工藝是通過表面化學(xué)作用和機(jī)械研磨的技術(shù)結(jié)合來實(shí)現(xiàn)晶圓表面微米/納米級(jí)不同材料的去除，從而達(dá)到晶圓表面的高度（納米級(jí)）平坦化效應(yīng)，使下一步的光刻工藝得以進(jìn)行。

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CMP拋光材料按照類別的不同可以分為拋光液，拋光墊，調(diào)節(jié)器，清潔劑等。其中占比最大的是拋光液，而在拋光研磨中用到的另一種關(guān)鍵耗材則是拋光墊，在所有拋光材料中占比接近三分之一，拋光工藝的技術(shù)核心和價(jià)值核心均在拋光墊。

CMP拋光工藝考量標(biāo)準(zhǔn)

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CMP拋光液是CMP工藝拋光機(jī)、拋光液和拋光墊三大關(guān)鍵要素之一，其性能和相互匹配決定工藝水平。隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷向前推進(jìn)，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的要求也越來越高，對(duì)CMP工藝使用的拋光材料提出了更高要求。

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化學(xué)機(jī)械拋光液在CMP技術(shù)中至關(guān)重要，在拋光材料中價(jià)值占比約50%，其耗用量隨著晶圓產(chǎn)量和CMP平坦化工藝步驟數(shù)增加而增加。根據(jù)應(yīng)用的不同工藝環(huán)節(jié)，可以將拋光液分為硅/多晶硅拋光液，淺槽隔離（STI）拋光液，金屬柵極拋光液，介電材料（二氧化硅、氮化硅）拋光液，鎢拋光液，銅及銅阻擋層拋光液，以及用于三維集成的硅通孔（TSV）和混合鍵合拋光液等。

拋光液分類

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銅拋光液和鎢拋光液主用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造過程，在10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。

各類型拋光液主要應(yīng)用領(lǐng)域

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據(jù)統(tǒng)計(jì)2011年我國CMP拋光液市場(chǎng)規(guī)模為5.25億元，2021年市場(chǎng)規(guī)模增長至20.80億元。

2011-2021年我國CMP拋光液市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)圖

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