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瑞禧多種化合物CuCrP2S6/Fe3GeTe2/GeBi4Te7/CuInS2晶體的大小種類純度表征介紹

2022-11-18 09:47 作者:星戈瑞-熒光居  | 我要投稿

CuCrP2S6晶體

晶體大小:5~10 mm

晶體種類:Magnetic semiconductor,鐵電材料

純度:>99.999 %

表征方法:EDS,SEM,Raman

禁帶寬度:?0.96 eV


Fe3GeTe2晶體:

GeBi4Te7晶體/CuInS2晶體:

材料名稱:CuInS2

性質(zhì)分類:Electrical? ?properties

拓撲材料,半金屬,紅外材料

禁帶寬度;0.05 eV

合成方法;CVT

剝離難易程度:Medium

保存注意事項:晶體穩(wěn)定,但表面容易氧化

瑞禧生物可以提供以下二維納米材料:Mxene、過渡金屬碳化物和氮化物(MXenes)、MAX相陶瓷材料、石墨烯、石墨炔、拓撲絕緣體、過渡族金屬硫化物(TMDs)、六角氮化硼(h-BN)、磷烯、銻烯、鉍烯 智能黑磷水凝膠納米醫(yī)藥載體、鈣鈦礦二維材料、二硫化鉬(MoS2)、二硫化鎢(WS2)、黑磷納米材料、C3N4納米片、二維鍺烯量子點、酞菁納米片、卟啉納米片、碳納米管定制。


GeBi2Te4晶體

GeBi4Te7粉體

GeBi4Te7晶體

GePbS3 晶體

GeS 硫化鍺晶體

GeSb4Te7晶體

GeSe 硒化鍺

GeTe晶體

HfS2 硫化鉿

HfS3晶體

HfSe2 硒化鉿

HfTe2 碲化鉿晶體

HfTe5晶體

HgPSe3晶體

In2GaBi2S6晶體

In2P3S9晶體

In2P3Se9 晶體

In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相

In2Te5晶體

In3SbTe2晶體

InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體

InBi晶體




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