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《炬豐科技-半導體工藝》干/濕蝕刻工藝

2021-08-09 10:01 作者:華林科納  | 我要投稿

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》

文章:/濕蝕刻工藝

編號:JFKJ-21-194

作者:炬豐科技

?蝕刻過程的目的 ?

描述蝕刻過程的相關術語 ?

?濕式和干式蝕刻的區(qū)別和用途 ?

?干蝕刻類型 ?

?等離子體增強的優(yōu)點 ?

?用于納米制造的新蝕刻方法 ?

光刻過程 ?

?光刻膠暴露在光線下的區(qū)域 ?

?發(fā)展只會讓這些區(qū)域開放 ?

蝕刻去除基片區(qū)域未被屏蔽 ?

?為功能使用創(chuàng)建結構 ?

?去除功能下面的氧化層,允許運動 ?

什么是蝕刻?

?純硅反應性強,形成SiO2 ?

?大塊結構的模式和移除 ?

?二氧化硅 ?

?用作絕緣體或摻雜的硬涂層 ?

腐蝕過程特性????????略

蝕刻-濕的和干的?????略

濕式蝕刻??????略

實踐問題??????略


《炬豐科技-半導體工藝》干/濕蝕刻工藝的評論 (共 條)

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